PUMD9,165

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 5mA 5V

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Max Collector Current

100mA

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

HTS Kodu

8541.21.00.95

Pin Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Kurşunsuz

Lead Free

Vce Saturation Max Ib Ic

100mV @ 250μA, 5mA

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

1μA

Resistor Base R1

10k Ω

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Temel Parça No

P*MD9

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Radyasyon Dayanımı

No

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

300mW

Max Breakdown Voltage

50V

Transistor Application

SWITCHING

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Terminal Formu

GULL WING

Yayın Yılı

2005

Terminal Sayısı

6

Element Configuration

Dual

Number Of Elements

2

Polarity

NPN, PNP