PUMD9,115

Teknik Özellikler

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

6

Qualification Status

Not Qualified

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pin Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Vce Saturation Max Ib Ic

100mV @ 250μA, 5mA

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7

JESD-609 Kodu

e3

Max Junction Temperature Tj

150°C

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

100mA

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Power Dissipation

300mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 5mA 5V

Transistor Application

SWITCHING

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Sayısı

6

Yayın Yılı

2011

Ambient Temperature Range High

150°C

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Polarity

NPN, PNP

Temel Parça No

P*MD9

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Saturation Voltage

100mV

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

1μA

Resistor Base R1

10k Ω

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant