PUMD3,165

Teknik Özellikler

Element Configuration

Dual

Number Of Elements

2

Polarity

NPN, PNP

Terminal Formu

GULL WING

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

6

Yayın Yılı

2008

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

300mW

Max Breakdown Voltage

50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Temel Parça No

P*MD3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Resistor Base R1

10k Ω

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transition Frequency

230MHz

Current Collector Cutoff Max

1μA

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Resistor Emitter Base R2

10k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Kurşunsuz

Lead Free

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

6

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Max Collector Current

100mA

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

JESD-609 Kodu

e3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 5mA 5V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30