PUMD3,125

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Base R1

10k Ω

Current Collector Cutoff Max

1μA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

300mW

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Radyasyon Dayanımı

No

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Temel Parça No

P*MD3

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Polarity

NPN, PNP

Number Of Elements

2

Element Configuration

Dual

Yayın Yılı

2010

Terminal Sayısı

6

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 5mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

100mA

Parça Durumu

Active

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

JESD-609 Kodu

e3

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Kurşunsuz

Lead Free

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Pin Sayısı

6

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

6

Resistor Emitter Base R2

10k Ω