PUMD3,115

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Base R1

10k Ω

Yüzey Montaj

YES

Current Collector Cutoff Max

1μA

Transition Frequency

230MHz

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Polarity

NPN, PNP

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Number Of Elements

2

Power Max

300mW

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2013

Terminal Sayısı

6

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Montaj Tipi

Surface Mount

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Currentcollector Ic Max

100mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Temel Parça No

P*MD3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

JESD-609 Kodu

e3

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 5mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

6

ECCN Kodu

EAR99

Resistor Emitter Base R2

10k Ω

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Pin Sayısı

6

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363