PUMD2,165

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 5mA 5V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Max Collector Current

100mA

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

JESD-609 Kodu

e3

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Kurşunsuz

Lead Free

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Resistor Base R1

22k Ω

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

1μA

Max Power Dissipation

300mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Temel Parça No

MD2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Element Configuration

Dual

Number Of Elements

2

Polarity

NPN, PNP

Terminal Formu

GULL WING

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

6

Yayın Yılı

2011