PUMD20,115

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 20mA 5V

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

JESD-609 Kodu

e3

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

ECCN Kodu

EAR99

Resistor Emitter Base R2

2.2k Ω

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Current Collector Cutoff Max

1μA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yüzey Montaj

YES

Resistor Base R1

2.2k Ω

Currentcollector Ic Max

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

6

Yayın Yılı

2005

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Power Max

300mW

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON