PUMD15,115

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 10mA 5V

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

JESD-609 Kodu

e3

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pin Sayısı

6

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Resistor Emitter Base R2

4.7k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

6

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

1μA

Resistor Base R1

4.7k Ω

Yüzey Montaj

YES

Operating Temperature Max

150°C

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Currentcollector Ic Max

100mA

Montaj Tipi

Surface Mount

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Yayın Yılı

2005

Terminal Sayısı

6

Transistor Element Material

SILICON

Power Max

300mW

Number Of Elements

2

Polarity

NPN, PNP

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR