PUMD14,115

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

ECCN Kodu

EAR99

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

MD14

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Currentcollector Ic Max

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Number Of Elements

2

Power Max

300mW

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

6

Yayın Yılı

2005

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Resistor Base R1

47k Ω

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

1μA