PUMB16,115

Teknik Özellikler

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Parça Durumu

Active

Reference Standard

IEC-60134

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Polaritychannel Type

PNP

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 5V

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

1μA

Resistor Base R1

22k Ω

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2009

Terminal Sayısı

6

Power Max

300mW

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Temel Parça No

MB16

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Currentcollector Ic Max

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Montaj Tipi

Surface Mount