PUMB10,115

Teknik Özellikler

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21

JESD-609 Kodu

e3

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 10mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Frequency Transition

180MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

6

Qualification Status

Not Qualified

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Vce Saturation Max Ib Ic

100mV @ 250μA, 5mA

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pin Sayısı

6

Resistor Base R1

2.2k Ω

Yüzey Montaj

YES

Operating Temperature Max

150°C

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

100nA

Transistor Element Material

SILICON

Power Max

300mW

Number Of Elements

2

Polarity

PNP

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Yayın Yılı

2002

Terminal Sayısı

6

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

MB10

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Currentcollector Ic Max

100mA