Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.04
- 500+ adet$0.03
- 1000+ adet$0.02
- 2000+ adet$0.02
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fabrika Tedarik Süresi
- 4 Weeks
- Power Max
- 480mW
- Parça Durumu
- Active
- Kılıf / Paket
- 6-XFDFN Exposed Pad
- Frequency Transition
- 230MHz
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 150mV @ 500μA, 10mA
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Resistor Base R1
- 47kOhms
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 5mA 5V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Resistor Emitter Base R2
- 47kOhms
- Current Collector Cutoff Max
- 1μA
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- DFN1412-6
İlgili Ürünler
Stokta
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays