PMGD290XN,115

Teknik Özellikler

Transistor Application

SWITCHING

Power Dissipation

410mW

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

HTS Kodu

8541.29.00.75

Vgsth Max Id

1.5V @ 250μA

Terminal Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

6

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Seri

TrenchMOS™

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Number Of Elements

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yayın Yılı

1997

Yüzey Montaj

YES

JESD-609 Kodu

e3

Parça Durumu

Active

Ds Breakdown Voltagemin

20V

Fet Feature

Logic Level Gate

Terminal Formu

GULL WING

Montaj Tipi

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

860mA

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

6

Rds On Max Id Vgs

350m Ω @ 200mA, 4.5V

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Drainsource On Resistancemax

0.35Ohm

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Input Capacitance Ciss Max Vds

34pF @ 20V

Gate Charge Qg Max Vgs

0.72nC @ 4.5V

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Power Max

410mW