PMGD280UN,115

Teknik Özellikler

Montaj Tipi

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

GULL WING

Continuous Drain Current Id

870mA

Drain Currentmax Abs Id

0.87A

Pin Sayısı

6

Transistor Element Material

SILICON

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Drainsource On Resistancemax

0.34Ohm

Rds On Max Id Vgs

340m Ω @ 200mA, 4.5V

Input Capacitance Ciss Max Vds

45pF @ 20V

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power Max

400mW

Gate Charge Qg Max Vgs

0.89nC @ 4.5V

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

HTS Kodu

8541.29.00.75

Transistor Application

SWITCHING

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Power Dissipation

400mW

ECCN Kodu

EAR99

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Seri

TrenchMOS™

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

2

Yayın Yılı

1997

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ds Breakdown Voltagemin

20V

Fet Feature

Logic Level Gate

JESD-609 Kodu

e3

Yüzey Montaj

YES

Parça Durumu

Active