PMEG2005ELD,315

Teknik Özellikler

HTS Kodu

8541.10.00.50

Temel Parça No

PMEG2005

Max Power Dissipation

1W

Max Reverse Leakage Current

30μA

Max Surge Current

3A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Voltage Forward Vf Max If

500mV @ 500mA

Terminal Pozisyonu

DUAL

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj Tipi

Surface Mount

Recovery Time

7 ns

Peak Nonrepetitive Surge Current

3A

Montaj

Surface Mount

Radyasyon Dayanımı

No

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

20V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

ECCN Kodu

EAR99

Jesd30 Code

R-PDSO-N2

Operating Temperature Junction

150°C Max

Capacitance Vr F

30pF @ 1V 1MHz

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

2

Reverse Recovery Time

7 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Average Rectified Current

500mA

Yayın Yılı

2007

Diode Type

Schottky

Forward Current

500mA

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Diode Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Reverse Leakage Vr

30μA @ 10V

Terminal Sayısı

2

Max Reverse Voltage Dc

20V

JESD-609 Kodu

e3

Element Configuration

Single

Kılıf / Paket

2-XDFN