PMEG2005EB,115

Teknik Özellikler

Diode Type

Schottky

Weight

4.535924g

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Capacitance Vr F

30pF @ 1V 1MHz

Forward Voltage

480mV

Terminal Sayısı

2

JESD-609 Kodu

e3

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Terminal Pozisyonu

DUAL

Voltage Forward Vf Max If

480mV @ 500mA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Peak Nonrepetitive Surge Current

6A

Montaj

Surface Mount

HTS Kodu

8541.10.00.50

Uzunluk

6.35mm

Genişlik

6.35mm

Max Reverse Leakage Current

30μA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Peak Reverse Current

30μA

Operating Temperature Junction

125°C Max

Output Currentmax

0.5A

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

20V

Number Of Phases

1

Reverse Test Voltage

10V

Yayın Yılı

2009

Current Average Rectified Io

500mA DC

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Forward Current

500mA

Diode Element Material

SILICON

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz

Lead Free

Maks. Çalışma Sıcaklığı

125°C

Pin Sayısı

2

Parça Durumu

Active

Average Rectified Current

500mA

Kılıf / Paket

SC-79, SOD-523

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Reverse Leakage Vr

30μA @ 10V