PMDT670UPE,115

Teknik Özellikler

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Input Capacitance Ciss Max Vds

87pF @ 10V

Fet Feature

Logic Level Gate

Turn On Delay Time

18 ns

Drain Currentmax Abs Id

0.55A

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Number Of Elements

2

Transistor Application

SWITCHING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

6

Turn Off Delay Time

80 ns

Rds On Max Id Vgs

850m Ω @ 400mA, 4.5V

Yüzey Montaj

YES

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Fall Time Typ

72 ns

Pin Sayısı

6

Drainsource On Resistancemax

0.85Ohm

Pin Sayısı

6

Terminal Formu

FLAT

Radyasyon Dayanımı

No

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Seri

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Vgsth Max Id

1.3V @ 250μA

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Rise Time

30ns

Yayın Yılı

2011

Power Dissipation

390mW

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

330mW

Parça Durumu

Active

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Dual Supply Voltage

-20V

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Ambalaj

Tape & Reel (TR)