Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Max Power Dissipation
- 350mW
- Parça Durumu
- Active
- Yayın Yılı
- 2009
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Gain Bandwidth Product
- 250MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 50nA ICBO
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 40V
- Montaj
- Surface Mount
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Fabrika Tedarik Süresi
- 4 Weeks
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Turn On Timemax Ton
- 70ns
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Formu
- GULL WING
- Polarity
- PNP
- Pin Sayısı
- 6
- Pin Sayısı
- 6
- JESD-609 Kodu
- e3
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 40V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Frekans
- 250MHz
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Application
- SWITCHING
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Turn Off Timemax Toff
- 300ns
- Element Configuration
- Dual
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Collector Base Voltage Vcbo
- 40V
- Max Collector Current
- 200mA
- Number Of Elements
- 2
- Emitter Base Voltage Vebo
- 6V
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 400mV @ 5mA, 50mA
- Transistor Element Material
- SILICON
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Power Dissipation
- 350mW
- Transition Frequency
- 250MHz
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors