PIMZ2,125

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

6

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Max Collector Current

150mA

JESD-609 Kodu

e3

Radyasyon Dayanımı

No

Power Dissipation

300mW

Polarity

NPN, PNP

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Montaj

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Type

NPN, PNP

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Yayın Yılı

2009

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Application

SWITCHING

Max Power Dissipation

300mW

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Pin Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Frequency Transition

100MHz 190MHz

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Frekans

100MHz

Transition Frequency

100MHz

Montaj Tipi

Surface Mount