PHP225,118

Teknik Özellikler

Drain To Source Voltage Vdss

30V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Pin Sayısı

8

Input Capacitance Ciss Max Vds

250pF @ 20V

Terminal Sayısı

8

Kurşunsuz

Lead Free

Radyasyon Dayanımı

No

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Drain To Source Breakdown Voltage

-30V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Terminal Formu

GULL WING

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Pin Sayısı

8

Transistor Application

SWITCHING

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

JESD-609 Kodu

e4

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Dual Supply Voltage

-30V

Vgsth Max Id

2.8V @ 1mA

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Continuous Drain Current Id

2.3A

Number Of Elements

2

Gate Charge Qg Max Vgs

25nC @ 10V

Rds On Max Id Vgs

250m Ω @ 1A, 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Power Dissipation

2W

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

2011

Jedec95 Code

MS-012AA

Fet Feature

Logic Level Gate

Max Power Dissipation

2W