PHN210T,118

Teknik Özellikler

Input Capacitance Ciss Max Vds

250pF @ 20V

Radyasyon Dayanımı

No

Avalanche Energy Rating Eas

13 mJ

Drainsource On Resistancemax

0.1Ohm

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Turn Off Delay Time

21 ns

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Yüzey Montaj

YES

Terminal Formu

GULL WING

Seri

TrenchMOS™

Turn On Delay Time

6 ns

Pulsed Drain Currentmax Idm

14A

Nominal Vgs

2 V

Uzunluk

5mm

Drain Currentmax Abs Id

3.4A

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Dual Supply Voltage

30V

Max Dual Supply Voltage

30V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Power Dissipation

2W

Jedec95 Code

MS-012AA

Yayın Yılı

2010

Number Of Elements

2

Terminal

SMD/SMT

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Yükseklik

1.45mm

Element Configuration

Dual

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Rise Time

8ns

Terminal Sayısı

8

Kurşunsuz

Lead Free

Fall Time Typ

15 ns

Pin Sayısı

8

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Pin Sayısı

8

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Reach Svhc

No SVHC

Gate To Source Voltage Vgs

20V