PHN203,518

Teknik Özellikler

Fall Time Typ

11 ns

Pin Sayısı

8

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Drainsource On Resistancemax

0.03Ohm

Input Capacitance Ciss Max Vds

560pF @ 20V

Rise Time

6ns

Terminal Sayısı

8

Radyasyon Dayanımı

No

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Feedback Capmax Crss

135 pF

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Turn Off Delay Time

21 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Yüzey Montaj

YES

Terminal Formu

GULL WING

Seri

TrenchMOS™

Turn On Delay Time

5 ns

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Pin Sayısı

8

Transistor Application

SWITCHING

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

JESD-609 Kodu

e4

Vgsth Max Id

2V @ 1mA

Max Dual Supply Voltage

30V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Continuous Drain Current Id

6.3A

Terminal Kaplaması

NICKEL PALLADIUM GOLD

Gate Charge Qg Max Vgs

14.6nC @ 10V

Number Of Elements

2

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Nem Hassasiyeti (MSL)

2 (1 Year)

Rds On Max Id Vgs

30m Ω @ 7A, 10V

Power Dissipation

2W

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE