PEMH13,115

Teknik Özellikler

Qualification Status

Not Qualified

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2001

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

6

Yüzey Montaj

YES

Power Dissipation

300mW

Terminal Sayısı

6

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Operating Temperature Max

150°C

Parça Durumu

Active

Vce Saturation Max Ib Ic

100mV @ 250μA, 5mA

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Number Of Elements

2

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

1μA

Currentcollector Ic Max

100mA

Pin Sayısı

6

Resistor Base R1

4.7k Ω

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 10mA 5V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Polarity

NPN

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Terminal Formu

FLAT

Resistor Emitter Base R2

47k Ω