PEMD9,115

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

6

Currentcollector Ic Max

100mA

Current Collector Cutoff Max

1μA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Temel Parça No

P*MD9

Number Of Elements

2

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Terminal Formu

FLAT

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Polarity

NPN, PNP

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 5mA 5V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Resistor Base R1

10k Ω

Pin Sayısı

6

Yüzey Montaj

YES

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

2011

Transistor Application

SWITCHING

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7

Qualification Status

Not Qualified

Vce Saturation Max Ib Ic

100mV @ 250μA, 5mA

Parça Durumu

Active

Operating Temperature Max

150°C

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

6

Power Dissipation

300mW