PEMD48,115

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Resistor Base R1

4.7k Ω, 22k Ω

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 5V / 100 @ 10mA 5V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Polarity

NPN, PNP

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Formu

FLAT

Emitter Base Voltage Vebo

10V

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Hfemin

80

Radyasyon Dayanımı

No

Element Configuration

Dual

Pin Sayısı

6

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Montaj

Surface Mount

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Power Dissipation

300mW

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

6

Collectoremitter Saturation Voltage

150mV

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA / 100mV @ 250μA, 5mA

Yayın Yılı

2011

ECCN Kodu

EAR99

Max Power Dissipation

300mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

Yükseklik

600μm

Pin Sayısı

6

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Genişlik

1.3mm

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Number Of Elements

2

Temel Parça No

P*MD48

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Current Collector Cutoff Max

1μA

Reach Svhc

No SVHC