PEMB18,115

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Resistor Base R1

4.7k Ω

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

50 @ 10mA 5V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

JESD-609 Kodu

e3

Polarity

PNP

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Terminal Formu

FLAT

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Resistor Emitter Base R2

10k Ω

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

2

Radyasyon Dayanımı

No

Element Configuration

Dual

Pin Sayısı

6

Temel Parça No

MB18

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

1μA

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Montaj

Surface Mount

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

6

Parça Durumu

Active

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Yayın Yılı

2011

Max Power Dissipation

300mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Collector Current

100mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Max Breakdown Voltage

50V

ECCN Kodu

EAR99

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1

Transistor Application

SWITCHING

Pin Sayısı

6