PDTD123TT,215

Teknik Özellikler

Element Configuration

Single

Terminal Sayısı

3

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Max Power Dissipation

250mW

Yayın Yılı

2005

Terminal Pozisyonu

DUAL

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 50mA 5V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Parça Durumu

Active

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Number Of Elements

1

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Breakdown Voltage

50V

Temel Parça No

PDTD123

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e3

Max Collector Current

500mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

500nA

Kurşunsuz

Lead Free

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Montaj

Surface Mount

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Polarity

NPN

Radyasyon Dayanımı

No