PDTD113ET,215

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Number Of Elements

1

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

33 @ 50mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Max Power Dissipation

250mW

Yayın Yılı

2005

Terminal Pozisyonu

DUAL

Element Configuration

Single

Terminal Sayısı

3

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Temel Parça No

PDTD113

Max Breakdown Voltage

50V

Emitter Base Voltage Vebo

10V

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

3

Resistor Emitter Base R2

1 k Ω

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

JESD-609 Kodu

e3

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Collector Current

500mA

Hfemin

33

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Polarity

NPN

Radyasyon Dayanımı

No

Power Dissipation

250mW

Resistor Base R1

1 k Ω

Montaj

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Reach Svhc

No SVHC

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Type

NPN - Pre-Biased