Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Type
- PNP - Pre-Biased
- Frequency Transition
- 180 MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA
- Kılıf / Paket
- 3-XDFN Exposed Pad
- Montaj Tipi
- Surface Mount, Wettable Flank
- Power Max
- 340 mW
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50 V
- Resistor Base R1
- 4.7 kOhms
- Ürün Durumu
- Obsolete
- Package Type
- DFN1110D-3
- Maximum Collector Emitter Voltage
- 50 V
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- DFN1110D-3
- Maximum Dc Collector Current
- 100 mA
- Resistor Emitter Base R2
- 47 kOhms
- Number Of Elements Per Chip
- 3
- Currentcollector Ic Max
- 100 mA
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 100mV @ 250μA, 5mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 10mA, 5V
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R2_00001
Pre-Biased BJT Transistors
Aptina
2SC3402-AC
Pre-Biased BJT Transistors
Renesas Electronics America Inc
2SD1697-AZ
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.00
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.01
Pre-Biased BJT Transistors
Nexperia
934055050115
Pre-Biased BJT Transistors
WEIDMÜLLER
9500640000 PCF 7.50/04/180 3.5SN OR BX
Pre-Biased BJT Transistors
Diodes Incorporated
ADA123JUQ-7
Pre-Biased BJT Transistors