PDTC123YU,115

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Collector Cutoff Max

1μA

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Kılıf / Paket

SC-70, SOT-323

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Polarity

NPN

Power Dissipation

200mW

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Qualification Status

Not Qualified

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e3

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

Pin Sayısı

3

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Currentcollector Ic Max

100mA

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Operating Temperature Max

150°C

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Pin Sayısı

3

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Temel Parça No

PDTC123

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2009

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Sayısı

3

Terminal Formu

GULL WING

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

1

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

35 @ 5mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)