PDTC115TU,115

Teknik Özellikler

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Polarity

NPN

Radyasyon Dayanımı

No

Power Dissipation

200mW

Resistor Base R1

100 k Ω

Montaj

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Current Collector Cutoff Max

1μA

Kurşunsuz

Lead Free

Kılıf / Paket

SC-70, SOT-323

Pin Sayısı

3

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 250μA, 5mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR

JESD-609 Kodu

e3

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Collector Current

100mA

Hfemin

100

Pin Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Temel Parça No

PDTC115

Max Breakdown Voltage

50V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Number Of Elements

1

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Max Power Dissipation

200mW

Yayın Yılı

2005

Terminal Pozisyonu

DUAL

Element Configuration

Single