PDTC115EU,115

Teknik Özellikler

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Application

SWITCHING

Currentcollector Ic Max

20mA

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Resistor Base R1

100 k Ω

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

3

Resistor Emitter Base R2

100 k Ω

Current Collector Cutoff Max

1μA

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Temel Parça No

PDTC115

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 5V

Kılıf / Paket

SC-70, SOT-323

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

JESD-609 Kodu

e3

Yüzey Montaj

YES

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

3

Montaj Tipi

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yayın Yılı

2004

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 250μA, 5mA

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

1

Operating Temperature Max

150°C

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Power Max

200mW

Polaritychannel Type

NPN