PDTC115ET,215

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Element Configuration

Single

Resistor Base R1

100 k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Breakdown Voltage

50V

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Max Collector Current

20mA

Montaj

Surface Mount

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Uzunluk

6.35mm

Transistor Application

SWITCHING

Yükseklik

6.35mm

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Number Of Elements

1

Parça Durumu

Active

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 250μA, 5mA

Weight

4.535924g

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Polarity

NPN

Yayın Yılı

2004

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

3

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

JESD-609 Kodu

e3

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 5V

Hfemin

80

Temel Parça No

PDTC115

Max Power Dissipation

250mW

Pin Sayısı

3

Transistor Type

NPN - Pre-Biased