PDTC115EMB,315

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 250μA, 5mA

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

1

Frequency Transition

230MHz

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

3

Montaj Tipi

Surface Mount

Polaritychannel Type

NPN

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Max Power Dissipation

250mW

Pin Sayısı

3

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 5V

Temel Parça No

PDTC115

Pin Sayısı

3

Resistor Emitter Base R2

100 k Ω

Current Collector Cutoff Max

1μA

JESD-609 Kodu

e3

Collector Emitter Voltage Vceo

150mV

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Kılıf / Paket

3-XFDFN

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

Transition Frequency

230MHz

Resistor Base R1

100 k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Element Configuration

Single

Case Connection

COLLECTOR

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Formu

NO LEAD

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Max Collector Current

20mA

Montaj

Surface Mount

Transistor Application

SWITCHING