PDTC114ET,215

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

250mW

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Transition Frequency

230MHz

Resistor Base R1

10 k Ω

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Emitter Base Voltage Vebo

10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yükseklik

1.1mm

Transistor Application

SWITCHING

Max Collector Current

100mA

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Formu

GULL WING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

ECCN Kodu

EAR99

Frequency Transition

230MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Junction Temperature Tj

150°C

Terminal Sayısı

3

Polarity

NPN

Yayın Yılı

2002

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Number Of Elements

1

Parça Durumu

Active

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Ambient Temperature Range High

150°C

Pin Sayısı

3

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

Current Collector Cutoff Max

1μA

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Pin Sayısı

3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 5mA 5V

Hfemin

30

Temel Parça No

PDTC114

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3