PDTC114EMB,315

Teknik Özellikler

Transition Frequency

230MHz

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

10 k Ω

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Case Connection

COLLECTOR

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Transistor Application

SWITCHING

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Montaj

Surface Mount

Max Collector Current

100mA

Yayın Yılı

2011

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Frequency Transition

230MHz

Terminal Sayısı

3

Montaj Tipi

Surface Mount

Polaritychannel Type

NPN

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Max Power Dissipation

250mW

Pin Sayısı

3

Temel Parça No

PDTC114

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 5mA 5V

Radyasyon Dayanımı

No

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

1μA

JESD-609 Kodu

e3

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Collector Emitter Voltage Vceo

150mV

Kılıf / Paket

3-XFDFN

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1