PDTC114EM,315

Teknik Özellikler

Power Dissipation

250mW

Resistor Base R1

10 k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Transition Frequency

230MHz

Element Configuration

Single

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Emitter Base Voltage Vebo

10V

Case Connection

COLLECTOR

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Max Collector Current

100mA

Montaj

Surface Mount

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

3

Montaj Tipi

Surface Mount

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2011

Polarity

NPN

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Current Collector Cutoff Max

1μA

Radyasyon Dayanımı

No

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

Pin Sayısı

3

Temel Parça No

PDTC114

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 5mA 5V

Hfemin

30

Pin Sayısı

3

Max Power Dissipation

250mW

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

Kılıf / Paket

SC-101, SOT-883

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V