Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 100mV
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 50mA 5V
- Transistor Type
- PNP - Pre-Biased
- Pin Sayısı
- 3
- Max Power Dissipation
- 320mW
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Resistor Emitter Base R2
- 10 kOhms
- Power Max
- 320mW
- Fabrika Tedarik Süresi
- 4 Weeks
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 100mV @ 2.5mA, 50mA
- Parça Durumu
- Active
- Yayın Yılı
- 2014
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Frequency Transition
- 140MHz
- Currentcollector Ic Max
- 500mA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- TO-236AB
- Montaj
- Surface Mount
- Max Collector Current
- 500mA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Resistor Base R1
- 10 kOhms
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R2_00001
Pre-Biased BJT Transistors
Aptina
2SC3402-AC
Pre-Biased BJT Transistors
Renesas Electronics America Inc
2SD1697-AZ
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.00
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.01
Pre-Biased BJT Transistors
Nexperia
934055050115
Pre-Biased BJT Transistors
WEIDMÜLLER
9500640000 PCF 7.50/04/180 3.5SN OR BX
Pre-Biased BJT Transistors
Diodes Incorporated
ADA123JUQ-7
Pre-Biased BJT Transistors