PDTB113ZT,215

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Element Configuration

Single

Resistor Base R1

1 k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Breakdown Voltage

50V

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj

Surface Mount

Max Collector Current

500mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Transistor Application

SWITCHING

Uzunluk

6.35mm

Yükseklik

6.35mm

Kurşunsuz

Lead Free

Reach Svhc

No SVHC

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Number Of Elements

1

Parça Durumu

Active

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Weight

4.535924g

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Polarity

PNP

Yayın Yılı

2005

Terminal Sayısı

3

Montaj Tipi

Surface Mount

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

JESD-609 Kodu

e3

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Temel Parça No

PDTB113

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

70 @ 50mA 5V

Max Power Dissipation

250mW

Pin Sayısı

3

Transistor Type

PNP - Pre-Biased