PDTA123YT,215

Teknik Özellikler

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Current Collector Cutoff Max

1μA

Parça Durumu

Active

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

35 @ 5mA 5V

Yükseklik

1mm

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Max Collector Current

100mA

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

Operating Supply Voltage

50V

Polarity

PNP

Weight

1.437803g

Temel Parça No

PDTA123

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2009

Uzunluk

3mm

Max Output Current

100mA

Genişlik

1.4mm

Number Of Elements

1

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Terminal Sayısı

3

Terminal Pozisyonu

DUAL

Continuous Collector Current

100mA

Pin Sayısı

3

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

250mW

Max Breakdown Voltage

50V

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5