PDTA123YMB,315

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Transition Frequency

180MHz

Max Collector Current

100mA

Yayın Yılı

2012

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Temel Parça No

PDTA123

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

35 @ 5mA 5V

Parça Durumu

Active

Current Collector Cutoff Max

1μA

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Element Configuration

Single

JESD-609 Kodu

e3

Collector Emitter Voltage Vceo

150mV

Pin Sayısı

3

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

250mW

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Kılıf / Paket

3-XFDFN

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Terminal Sayısı

3

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Polaritychannel Type

PNP

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

SWITCHING

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.5

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Frequency Transition

180MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Case Connection

COLLECTOR

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3