PDTA123JTVL

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

100mV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 10mA 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

100mV @ 250μA, 5mA

Element Configuration

Single

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Parça Durumu

Active

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Yayın Yılı

2009

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Temel Parça No

PDTA123

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Emitter Base R2

47 k Ω

Transition Frequency

180MHz

Max Collector Current

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Pin Sayısı

3

Number Of Elements

1

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

GULL WING

Montaj

Surface Mount

Polaritychannel Type

PNP

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Pozisyonu

DUAL

Max Power Dissipation

250mW

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3