PDTA123ET,215

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 20mA 5V

Parça Durumu

Active

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Power Max

250mW

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Emitter Base R2

2.2 k Ω

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Yüzey Montaj

YES

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2002

Temel Parça No

PDTA123

Polarity

PNP

Number Of Elements

1

HTS Kodu

8541.21.00.95

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Terminal Pozisyonu

DUAL

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Currentcollector Ic Max

100mA

Terminal Sayısı

3

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

GULL WING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1