PDTA115EMB,315

Teknik Özellikler

Temel Parça No

PDTA115

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transition Frequency

180MHz

Max Collector Current

20mA

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Resistor Emitter Base R2

100 k Ω

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Collector Emitter Voltage Vceo

150mV

JESD-609 Kodu

e3

Element Configuration

Single

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

100 k Ω

Parça Durumu

Active

Current Collector Cutoff Max

1μA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 250μA, 5mA

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Polaritychannel Type

PNP

Montaj

Surface Mount

Montaj Tipi

Surface Mount

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Terminal Sayısı

3

Kılıf / Paket

3-XFDFN

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

250mW

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Number Of Elements

1

Case Connection

COLLECTOR

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Frequency Transition

180MHz