PDTA114EU,115

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Operating Temperature Max

150°C

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Parça Durumu

Active

Current Collector Cutoff Max

1μA

Power Max

200mW

Resistor Base R1

10 k Ω

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 5mA 5V

Temel Parça No

PDTA114

Polarity

PNP

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2003

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Yüzey Montaj

YES

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Pin Sayısı

3

Number Of Elements

1

HTS Kodu

8541.21.00.95

Qualification Status

Not Qualified

Frequency Transition

180MHz

Transistor Application

SWITCHING

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

GULL WING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Currentcollector Ic Max

100mA

Kılıf / Paket

SC-70, SOT-323

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Terminal Pozisyonu

DUAL