Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 550mV @ 300mA, 3A
- Frequency Transition
- 130MHz
- Fabrika Tedarik Süresi
- 4 Weeks
- Parça Durumu
- Active
- Max Power Dissipation
- 650mW
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Max Breakdown Voltage
- 60V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 1A 5V
- Power Max
- 650mW
- Kılıf / Paket
- TO-261-4, TO-261AA
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 550mV
- Pin Sayısı
- 4
- Max Collector Current
- 3A
- Transistor Type
- PNP
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Pin Sayısı
- 4
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Yayın Yılı
- 2014
- Montaj
- Surface Mount
- Collector Base Voltage Vcbo
- 80V
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors