Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 1.7A 2V
- Kılıf / Paket
- 3-XDFN Exposed Pad
- Power Max
- 325mW
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Max Breakdown Voltage
- 60V
- Frequency Transition
- 150MHz
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 400mV @ 50mA, 1A
- Parça Durumu
- Active
- Fabrika Tedarik Süresi
- 4 Weeks
- Max Power Dissipation
- 325mW
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60V
- Yayın Yılı
- 2013
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Pin Sayısı
- 3
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Montaj
- Surface Mount
- Max Collector Current
- 1.7A
- Pin Sayısı
- 3
- Transistor Type
- PNP
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 400mV
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors