Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kılıf / Paket
- 6-UDFN Exposed Pad
- Power Max
- 510mW
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 160 @ 1A 2V
- Currentcollector Ic Max
- 2A
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Element Configuration
- Dual
- Hfemin
- 260
- Emitter Base Voltage Vebo
- -7V
- Number Of Elements
- 2
- Parça Durumu
- Discontinued
- Fabrika Tedarik Süresi
- 20 Weeks
- Max Power Dissipation
- 1.45W
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 420mv @ 100mA, 2A
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Power Dissipation
- 200mW
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Polarity
- PNP
- JESD-609 Kodu
- e3
- Collector Base Voltage Vcbo
- 30V
- Gain Bandwidth Product
- 95MHz
- Montaj
- Surface Mount
- Frekans
- 95MHz
- Yayın Yılı
- 2013
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Pin Sayısı
- 6
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Max Collector Current
- -3A
- Pin Sayısı
- 6
- Collectoremitter Saturation Voltage
- -75mV
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 30V
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors