PBSS5160DS,115

Teknik Özellikler

Polarity

PNP

Power Dissipation

290mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambient Temperature Range High

150°C

Yükseklik

1.1mm

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Vce Saturation Max Ib Ic

330mV @ 100mA, 1A

Transistor Element Material

SILICON

Max Junction Temperature Tj

150°C

Hfemin

100

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Power Max

420mW

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

150 @ 500mA 5V

Currentcollector Ic Max

770mA

Terminal Formu

GULL WING

Yüzey Montaj

YES

Temel Parça No

PBSS5160DS

Collector Emitter Voltage Vceo

-60V

Current Collector Cutoff Max

100nA

Transition Frequency

220MHz

Collectoremitter Saturation Voltage

-250mV

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

6

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Pin Sayısı

6

Max Collector Current

-1A

Transistor Application

SWITCHING

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Pin Sayısı

6

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

60V

Yayın Yılı

2005

Gain Bandwidth Product

185MHz