PBSS5112PAP,115

Teknik Özellikler

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Pin Sayısı

6

Max Collector Current

-1.5A

Collector Emitter Voltage Vceo

-120V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Collectoremitter Saturation Voltage

-150mV

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Gain Bandwidth Product

100MHz

JESD-609 Kodu

e3

Collector Base Voltage Vcbo

-120V

Montaj

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Pin Sayısı

6

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

120V

Yayın Yılı

2012

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

1.45W

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Vce Saturation Max Ib Ic

480mV @ 100mA, 1A

Polarity

PNP

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Max

510mW

Kılıf / Paket

6-UDFN Exposed Pad

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

50 @ 500mA 2V

Currentcollector Ic Max

1A

Temel Parça No

PBSS5112

Hfemin

190

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Dual

Emitter Base Voltage Vebo

-7V